Выбираем Radeon HD 5850. Сравнение десяти видеокарт от разных производителей

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Еще один продукт компании ASUS, который уже относится к серии DirectCU.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Поставляется в привычной огромной коробке. Комплектация следующая:
  • переходник DVI/D-Sub;
  • переходник DVI/HDMI;
  • переходник питания molex/PCI-E;
  • мостик CrossFire;
  • диск с драйверами;
  • инструкции.
Видеокарта полностью отличается от стандартной версии.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

На задней панели остался лишь один DVI, но HDMI и Display Port никуда не делись.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Адаптер выполнен в черных тонах. Сбоку прикручена металлическая планка, играющая роль ребра жесткости. На ней выгравирован логотип компании. Кулер на фоне обычной турбины кажется вроде бы небольшим, но это эффект большого кожуха у референса. Массивные тепловые трубки, выглядывающие сбоку, внушают уважение. Бросается в глаза и наличие одного восьмиконтактного разъема питания, в то время, как все Radeon HD 5850 довольствуются двумя 6-контактными.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

У системы охлаждения осуществляется прямой контакт тепловых трубок с поверхностью кристалла ядра. Само название DirectCU намекает на данную технологию H.D.T. (Heatpipe Direct Touch). Трубки уложены в тщательно подогнанные под их форму желобки. Радиатор включает 32 тонких алюминиевых пластины.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Обдувается конструкция 80-мм вентилятором.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

На транзисторы системы питания установлен отдельный радиатор. Из-за удаленности от вентилятора эффективный обдув этого радиатора возможен лишь при мощном воздушном потоке, т.е. при высоких оборотах и уровне шума. Впрочем, подобная проблема встанет перед пользователем лишь при разгоне.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Дизайн платы имеет мало общего с эталоном.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Система питания значительно преобразилась и включает семь фаз. Шесть из них относятся к преобразователю напряжения GPU, реализованному на трех uP6262BD под управлением контроллера uP6208AM.

uP6208AM

Графический чип RV870 собственной персоной:

RV870

Один гигабайт видеопамяти набран восемью микросхемами Samsung K4G10325FE-HC04.

Samsung K4G10325FE-HC04

Частоты стандартны — 725/4000 МГц, соответственно для GPU и памяти GDDR5. В простое сбрасываются до 157/1200 МГц. Изначально рабочее напряжение немного завышено до 1,118 В (стандарт — 1,087 В).

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Система охлаждения оказалась эффективнее референсной турбины. При нагрузке Crysis Warhead на максимальных настройках качества ядро не прогрелось выше 67 °C. Вентилятор раскручивался до 40% от своего максимума, уровень шума немного ниже чем у референса.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

В FurMark максимальная температура составила 73 °C при более высоких оборотах вентилятора.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Для управления частотами, напряжением и кулером видеокарты на диске имеется фирменная утилита ASUS SmartDoctor. Но максимальные значения частоты GPU в ней ограничены 900 МГц, а для памяти выше 5 ГГц не выставить. Значения, можно сказать, безопасные. Для более существенного разгона лучше прибегнуть к возможностям MSI Afterburner.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Максимальной стабильности удалось достичь на частотах 940/5254 МГц и только при высоких оборотах вентилятора.

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

У видеоадаптера есть потенциал для дальнейшего разгона, потому как 940 МГц ядру покорились при 1,2 В. Но при дальнейшем повышении частот и напряжения, работа в игровых приложениях была крайне нестабильна. Похоже, сказывается недостаточное охлаждение системы питания. Пройти 3DMark Vantage не составило труда на частотах 985/5252 МГц.

Подобный разгон в любом случае подразумевает замену системы охлаждения, так что мы решили проверить, на каких частотах карта сможет пройти тест в Crysis Warhead в тихом режиме (обороты вентилятора на 40%).

ASUS EAH5850 DirectCU/2DIS/1GD5

Этим пределом оказались 840 МГц на ядре при начальном напряжении 1,118 В.
Соревнуясь со временем