Компанія Intel спільно з Saimemory, дочірньою структурою SoftBank, розробляє пам’ять Z‑Angle Memory (ZAM), що стане альтернативою HBM у сегменті високопродуктивних рішень для штучного інтелекту. Вона забезпечить високу продуктивність за меншого тепловиділення та енергоспоживання відносно HBM. Пропускна здатність ZAM буде вдвічі більшою ніж в HBM4, нова пам’ять навіть зможе конкурувати з HBM4E. Однак з’явиться ZAM пізніше, проєктування і підготовку до серійного виробництва планують завершити в період 2028–2030 років.
Наразі озвучено технічні особливості Intel ZAM. Це багатошарова 3D-пам’ять з особливою ступеневою (діагональною) топологією з’єднань між шарами. Це вісім шарів DRAM та базовий шар логіки з проміжними шарами кремнієвої підкладки товщиною три мікрони. Також у стеку є кілька шарів проміжних з’єднань через перехідні отвори TSV.
Один шар дає змогу розмістити 1,125 ГБ, що дає 10 ГБ на стек і 30 ГБ в одному корпусі. Розміри стека ZAM становлять 171 мм² (15,4 x 11,1 мм), а пропускна здатність пам’яті — 0,25 ТБ/с на мм², що дає 5,3 ТБ/с на стек. Конструкція ZAM забезпечує не тільки високу щільність пам’яті, але й ширшу смугу пропускання. Також пам’ять такого типу забезпечує краще розсіювання тепла порівняно зі звичайною HBM4, а виграш в енергоспоживанні може скласти до 40–50%.
Пам’ять розробляють спеціально для ШІ, щоб усунути структурні обмеження HBM для майбутніх масштабованих рішень. Кінцевою метою проєкту ZAM є створення надщільної пам’яті, яка поєднуватиме вертикальні та горизонтальні шари з великим обсягом, старими інтерфейсами введення/виведення та елементами кремнієвої фотоніки.
Джерело:
Wccftech