Компания Intel совместно с Saimemory, дочерней структурой SoftBank, разрабатывает новую память Z‑Angle Memory (ZAM), которая будет альтернативой HBM в сегменте высокопроизводительных решений для искусственного интеллекта. Память ZAM обеспечит высокую производительность при меньшем тепловыделении и энергопотреблении относительно HBM. Пропускная способность ZAM будет в два раза быстрее HBM4, новая память даже сможет конкурировать с HBM4E. Однако появится ZAM позднее, проектирование и подготовку к серийному производству планируют завершить в период 2028–2030 годов.
Сейчас озвучены технические особенности Intel ZAM. Это многослойная 3D-память с особой ступенчатой (диагональной) топологией соединений между слоями. Это 8 слоев DRAM и базовый слой логики с промежуточными слоями кремниевой подложки толщиной 3 микрона. Также в стеке есть несколько слоев промежуточных соединений через переходные отверстия TSV.
Один слой позволяет разместить 1,125 ГБ, что дает 10 ГБ на стек и 30 ГБ в одном корпусе. Размеры стека ZAM составляют 171 мм² (15,4 x 11,1 мм), а пропускная способность памяти — 0,25 ТБ/с на мм², что дает 5,3 ТБ/с на стек. Конструкция ZAM обеспечивает не только высокую плотность памяти, но более широкую полосу пропускания. Также память такого типа обеспечивает лучшее рассеивание тепла в сравнении обычной многослойной HBM4, а выигрыш в энергопотреблении может составить до 40–50%.
Память разрабатывается специально для ИИ, чтобы устранить структурные ограничения HBM для будущих масштабируемых решений. Конечной целью проекта ZAM является создание сверхплотной памяти, которая будет сочетать вертикальные и горизонтальные слои с большим объемом, старыми интерфейсами ввода/вывода и элементами кремниевой фотоники.
Источник:
Wccftech