Samsung Electronics повідомила про старт виробництва мікросхем за 3-нм технологією на основі транзисторів GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor). Південнокорейському чипмейкеру вдалося випередити конкурентів у цьому напрямі. Наприклад, тайванський гігант TSMC розраховує налагодити серійний випуск 3-нм продукції у другій половині цього року.
Відмінною рисою 3-нм технології Samsung є компонування MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Воно полягає у використанні «нанолистів» з широкими каналами, що забезпечує вищу продуктивність та енергоефективність щодо минулої GAA-технології. Крім того, Samsung може налаштувати ширину каналів в залежності від потреб замовника, додатково покращивши швидкодію або знизивши енергоспоживання.
Якщо порівнювати із 5-нм нормами, то перше покоління 3-нм технології забезпечує 16% зменшення площі чипів, а також дозволяє покращити продуктивність на 23% та знизити енергоспоживання на 45%. У другому поколінні Samsung розраховує знизити енергоспоживання до 50%, підвищити швидкодію на 30% та зменшити площу на 35%.
Спочатку 3-нм техпроцес Samsung буде використовуватися при випуску мікросхем для сфери високопродуктивних обчислень, а через деякий час і при виробництві мобільних процесорів.
Джерело:
Samsung
