В прошлом году Toshiba Memory представила флэш-память нового поколения под названием XL-Flash. Она основана на технологии SLC (Single-Level-Cell) и за счет некоторых архитектурных улучшений способна предложить куда лучшую производительность, нежели текущие реализации NAND SLC. Например, говорится о задержках чтения в 5 мкс, росте количества операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и улучшении производительности на низкой глубине очереди.
Накануне компания Goke Microelectronics, являющаяся производителем контроллеров для SSD и решений для хранения данных, представила серию NVMe-накопителей Goke 2311. Инженеры компании использовали флэш-память Toshiba XL-Flash и контроллер собственной разработки.
Прототип накопителя серии 2311 характеризуется задержкой случайного чтения 4K до 20 мкс, а серийные устройства будут иметь задержку произвольного чтения 4K менее чем 15 мкс. Диски Goke 2311 характеризуются емкостью до 4 ТБ, максимальной скоростью записи 1 ГБ/с и скоростью чтения до 3 ГБ/с через интерфейс PCI-E 3.0 x4.
Ожидается, что накопители Goke 2311 будут запущены в производство в 2020 году.
Источник:
TechPowerUp
