Samsung Electronics представила новий стандарт графічної пам'яті — GDDR6W. На тлі звичайних мікросхем GDDR6 нові чипи виділяються вдвічі більшою місткістю та продуктивністю. Однією з областей застосування новинок стануть 3D-прискорювачі наступного покоління.
У пам'яті GDDR6W південнокорейський гігант застосував технологію FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), що дозволило об'єднати в одній мікросхемі вдвічі більше DRAM-кристалів. Разом з цим габарити чипів залишилися на рівні аналогів GDDR6, завдяки чому клієнти Samsung зможуть легко інтегрувати їх у свої продукти. Для нових мікросхем заявлено пропускну здатність 22 Гбіт/с на контакт. До речі, в асортименті Samsung є чипи GDDR6 зі швидкістю до 24 Гбіт/с.
Як приклад Samsung порівнює швидкодію нових мікросхем з багатошаровою пам'яттю HBM (High Bandwidth Memory). Вісім чипів GDDR6W можуть забезпечити пропускну здатність 1,4 Тбайт/с, що лише трохи поступається показнику чотирьох стеків пам'яті HBM2E (1,6 Тбайт/с). Місткість такого відеобуфера складе 32 ГБ.
Джерело:
TechPowerUp