У рамках конференції Samsung Tech Day 2022 південнокорейський чипмейкер розповів про успіхи у розробці нових мікросхем пам'яті. У його лабораторіях вирує робота як над ємнішими чипами V-NAND й DDR5, так і над високошвидкісними рішеннями LPDDR5X. Працюють інженери Samsung і над пам'яттю стандарту GDDR7 для майбутніх поколінь відеокарт.
У мікросхемах GDDR7 південнокорейський гігант розраховує збільшити швидкість передачі даних до 36 Гбіт/с на контакт. Завдяки цьому, наприклад, пропускна здатність буфера у відеокарти з 384-бітною шиною зросте до вражаючих 1,7 Тбайт/с. В представленої у вересні GeForce RTX 4090 цей параметр дорівнює 1 ТБ/с. До речі, нещодавно Samsung почала поставки перших у галузі чипів GDDR6 зі швидкістю 24 Гбіт/с.
Samsung також підтвердила роботу над мікросхемами DDR5 щільністю 32 Гбіт, що дозволить налагодити випуск модулів оперативної пам'яті вдвічі більшої місткости щодо актуальних рішень, де використовуються 16-гігабітні чипи. Незабаром буде запущено виробництво пам'яті LPDDR5X з ефективною частотою 8500 МГц. Ці мікросхеми можна буде зустріти, наприклад, у ноутбуках та топових смартфонах.
Джерело:
Samsung