Обзор и тестирование NVMe-накопителя GoodRAM SSD IRDM M.2 объемом 1 ТБ

Несмотря на то, что накопители NVMe с интерфейсом PCI Express 4.0 присутствуют на рынке уже почти три года, они до сих пор остаются достаточно дорогими устройствами и, соответственно, не такими популярными как предшественники. Положение не спасает даже то, что скоростные показатели прогрессивных SSD два раза превышают возможности накопителей с PCI-E 3.0. Добавим сюда дефицит полупроводников и получим не очень радужную картину, когда отдавать предпочтение приходится более доступным продуктам. Видимо, поэтому компания Wilk Elektronik, владеющая брендом GoodRAM, решила сосредоточиться на модельном ряду со старым интерфейсом, придав скоростным SSD IRDM Ultimate X PCIe GEN 4 статус архивных.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

GoodRAM SSD IRDM M.2

Накопители линейки SSD IRDM M.2 появились в конце 2020 года и основаны на давно вышедшем контроллере Phison PS5012-E12, возможности которого с лихвой покрывают потребности массового пользователя, и флэш-памяти TLC. Их объем составляет от 256 ГБ до 2 ТБ, а скоростные показатели находятся на уровне 3000–3200 Мб/с для линейного чтения и 1000–3000 МБ/с для линейной записи в зависимости от модели. Работа с мелкими блоками небыстрая, но вполне достаточная: 149–490 тыс. IOPS для чтения и 250–500 тыс. IOPS для записи. Все накопители оснащены буфером, что положительно отразится на скорости записи больших объемов информации.

Модель IR-SSDPR-P34B-256-80 IR-SSDPR-P34B-512-80 IR-SSDPR-P34B-01T-80 IR-SSDPR-P34B-02T-80
Страница продукта SSD IRDM M.2
Ёмкость, Гбайт 256 512 1024 2048
Скорость последовательного чтения, Мбайт/с 3000 3200
Скорость последовательной записи, Мбайт/с 1000 2000 3000  
Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS 149000 295000 250000 490000
Максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS 250000 500000 500000 500000
Контроллер Phison PS5012-E12
Тип памяти 3D TLC BiCS4 (Toshiba 96L)
Буфер DDR4 (?)
Суммарное число записываемых байтов (TBW), Тбайт 150 300 600 1200
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 800 000 часов
Устойчивость к действию вибрации в рабочем состоянии н/д
Устойчивость к действию вибрации н/д
Рабочий диапазон температур, °C 0–70
Интерфейс подключения PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Максимальная Потребляемая мощность для чтения/записи, Вт н/д н/д н/д н/д
Потребляемая мощность (простой), мВт н/д н/д н/д н/д
Форм-фактор M.2 2280
Габариты: ДхШхВ, мм 80 х 22 х 2,15 80 х 22 х 3,5
Масса, г н/д
Гарантия 5 лет
Стоимость 1288 грн 2149 грн 3899 грн 7715 грн

А вот на цене наличие лишних микросхем сказалось слабо и серия SSD IRDM M.2 несильно дороже безбуферных моделей, среди которых часто встречаются продукты с флэш-памятью QLC. Также у новинок высокий ресурс записи (TBW), который позволяет перезаписать накопитель 600 раз, что соответствует показателям конкурирующих устройств. Гарантийный срок составляет 5 лет.

SSD IRDM M.2 1TB

Накопители рассматриваемой серии поставляются в небольшой черной коробочке, на лицевой стороне которой изображен SSD и его основные характеристики в виде максимальных линейных скоростей чтения и записи для SSD IRDM M.2.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

На обратной стороне указаны скорости уже для каждого объема накопителей и есть вырез, через который можно увидеть приобретаемый продукт.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

Защиту SSD при транспортировке обеспечивает пластиковый прозрачный контейнер с небольшой крышечкой.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

Накопитель выполнен на текстолите черного цвета и по дизайну PCB очень сильно напоминает SSD серии IRDM Ultimate X с интерфейсом PCI Express 4.0 за исключением того, что здесь установлен более простой контроллер, а не PS5016-E16. На лицевой стороне наклеена алюминиевая пластинка, отвечающая за роль теплораспределителя. Она относительно толстая и не погнется, даже если накопитель накрыть комплектным радиатором для M.2, установленным на материнской плате.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

На обратной стороне платы присутствует наклейка с наименованием модели, ее емкости, серийным номером и прочей информацией.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

Используемый в SSD IRDM M.2 восьмиканальный контроллер Phison PS5012-E12 обладает лишь двумя ядрами и изготовлен по 28-нм техпроцессу, но этого более чем достаточно при заявленных скоростях обработки данных. Сообщается он с четырьмя 96-слойными микросхемами флэш-памяти Toshiba TABBG65AWV, а в качестве DRAM-буфера используются два чипа SK hynix H5AN4G8NBJR стандарта DDR4 и общим объемом 1 ГБ.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

Фактически, это референсный SSD платформы Phison, причем достаточно неплохой. Правда, в Сети замечены новые накопители IR-SSDPR-P34B на Phison PS5012-E12S с меньшим объемом буфера стандарта LPDDR3.

После инициализации накопителя и форматирования стандартными средствами ОС Windows пользователю будет доступно около 953 Гбайт свободного пространства.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)

Для накопителей GoodRAM производитель предлагает утилиту Optimum SSD Tool (версии 1.1.3 на момент написания обзора), которая позволяет получить информацию об установленном диске, его SMART, произвести быстрое тестирование скоростных показателей, обновить прошивку SSD, произвести клонирование старого диска и связаться с техподдержкой.

GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)GoodRAM SSD IRDM M.2 1TB (IR-SSDPR-P34B-01T-80)