Компания Intel сейчас ведет активные разработки в сегменте специализированной памяти для высокопроизводительных чипов в сегменте ИИ. Мы уже писали про разработку многослойной памяти ZAM, которая может быть в два раза быстрее HBM4. А теперь компания опубликовала патент на многослойную память XBM (eXtended Bandwidth Memory) с высокой пропускной способностью. И это еще одна альтернатива стекам памяти HBM.
В основе новой памяти технология многослойных стеков с транзисторами, которые расположены с обратной стороны кристалла (backend transistors). Структура XBM предусматривает слой-подложку, базовый кристалл и несколько слоев DRAM с ячейками 1T1C (один транзистор и один конденсатор). Применение нового типа транзисторов увеличивает эффективность использования общей площади и плотность сквозных отверстий TSV для улучшения маршрутизации данных.
Блоки DRAM подключаются к интерфейсу UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express), который работает со скоростью 32 ГТ/с. Площадь стеков XBM должна соответствовать размеру стеков памяти HBM. Емкость одного кристалла составит от 0,5 ГБ до 5 ГБ.
Коммерческое внедрение XBM может начаться в 2030 году. Это примерно соответствует заявленным срокам внедрения памяти Intel ZAM. Очевидно, что к этому моменту мы увидим и новое поколение HBM. Также разработки в этом направлении ведут другие компании. Qualcomm недавно анонсировала ускорители вычислений ИИ с памятью HBC (High-Bandwidth Compute).
Источник:
Wccftech