На днях компания Toshiba Corporation заявила об окончании разработки NAND флэш-памяти с самой высокой, на данный момент, плотностью записи. Она производится по 56-нм технопроцессу, что позволило получить чипы объемом в 16 гигабит (2 гигабайта) и 8 гигабит (1 гигабайт).



Первые инженерные образцы в ограниченном количестве были получены еще в конце 2006 года, а сейчас доступны модули объемом 8 гигабит, которые основываются на технологии multi-level cell (MLC). Карточки на 16 гигабит компания планирует начать поставлять лишь в конце марта.

Принятие технологии MLC совместно с улучшением микропрограмм, контролирующих работу памяти, позволило также увеличить скорость записи/чтения, которые достигают 10 мегабайт в секунду. Что в два раза превышает производительность предыдущих продуктов компании, выполненных по технологии NAND. Если подобные продукты будут иметь разумную цену, то в скором времени мы действительно сможем попрощаться с шумными, горячими и потребляющими много энергии жесткими дисками.

Источник:
www.i4u.com