Обзор комплекта памяти GeIL GOC34GB2133C10ADC серии Evo Corsa

Память GeIL давно известна среди оверклокеров и требовательных пользователей. Эффектный внешний вид и высокий потенциал модулей стали визитной карточкой решений этого производителя. Естественно, за последние десять лет на рынок продукции для энтузиастов вышло немало компаний, некоторые в итоге покинули его из-за жесткой конкуренции или убыточности производства. Несмотря на это, GeIL по-прежнему радует своих поклонников новыми моделями памяти, и даже выпускает достаточно старую, но популярную серию Black Dragon, периодически обновляя используемый в ней тип ОЗУ.

В последний раз с модулями этого производителя мы сталкивались пару лет назад. За это время компания представила несколько новых линеек памяти, среди которых Evo Corsa. В данном материале будет рассмотрен один из таких комплектов общим объемом четыре гигабайта, рассчитанный на рабочую частоту 2133 МГц. Учитывая рост популярности платформы LGA1155, исследование на предмет разгонного потенциала будет проводиться именно на ней.

GeIL GOC34GB2133C10ADC


GeIL GOC34GB2133C10ADC (Evo Corsa, DDR3-2133, 2x2GB, CL10-11-11-30, 1.5V)

Комплект памяти GeIL GOC34GB2133C10ADC поставляется в черной коробке с вырезами, через которые можно увидеть приобретаемый продукт.
GeIL GOC34GB2133C10ADC

Для лучшей сохранности модулей, они дополнительно защищены пластиковым блистером.

GeIL GOC34GB2133C10ADC
Планки памяти выполнены на привычном зеленом текстолите и оснащены высокими радиаторами, которые могут стать помехой для использования крупногабаритных процессорных кулеров.

GeIL GOC34GB2133C10ADC

Система охлаждения хоть оригинальная по форме, но очень простая в исполнении.

GeIL GOC34GB2133C10ADC


По факту — это обычные тонкие анодированные алюминиевые пластины со штампованными ребрами на конце. По центру даже можно увидеть слово EVO.

GeIL GOC34GB2133C10ADC

Крепятся половинки радиатора к чипам памяти и текстолиту за счет «термолипучек». Модули набраны высокоемкими микросхемами, поэтому используется лишь одна сторона печатной платы. К слову, последняя имеет восемь слоев, что в какой-то степени должно положительным образом сказаться на разгонном потенциале памяти.

GeIL GOC34GB2133C10ADC

С выходом платформы Sandy Bridge, которая уже не требовала танцев с бубном для работы памяти на 2133—2400 МГц, а то и выше, высокочастотные модули стали набирать свою популярность не только среди энтузиастов, но и среди обычных пользователей. Для такой ОЗУ в последнее время начали использовать чипы Hynix. Они отлично работают на высокой частоте с не менее высокими таймингами, но низким напряжением питания. Комплект GeIL Evo Corsa не стал исключением и под радиаторами оказались распространенные чипы Hynix H5TQ2G83BFR-H9C.

GeIL GOC34GB2133C10ADC

Рассмотрев модули внешне, переходим к их характеристикам. Каждая планка памяти объемом 2 ГБ рассчитана на частоту 2133 МГц, при этом тайминги имеют формулу 10-11-11-30. Задержки немного завышены, но зато позволяют использовать напряжение всего 1,5 вольт.

GeIL GOC34GB2133C10ADC

В SPD прошиты как стандартные частоты и задержки по JEDEC, включая 1600 МГц, так и профиль XMP.

GeIL GOC34GB2133C10ADC

Параметр Command Rate прошит как 2T, но память без проблем может работать и с единицей, достаточно самостоятельно изменить это значение.

GeIL GOC34GB2133C10ADC


Тестовая конфигурация и методика разгона

Память разгонялась на следующей конфигурации:
  • процессор: Intel Core i7-2600K (3,4 ГГц);
  • материнская плата: ASUS P8Z68-V Pro (Intel Z68 Express);
  • видеокарта: Inno3D GeForce GTX 560 Ti;
  • кулер: Zalman CNPS10X Performa;
  • жёсткий диск: Seagate ST3500418AS (500 ГБ, 7200 об/мин, SATAII);
  • блок питания: Seasonic SS-600HM (600 Вт).
Тестирование проводилось в среде Windows 7 Home Premium x64. Для проверки на стабильность разогнанных модулей использовалась программа LinX 0.6.4, объем памяти в которой устанавливался на уровне 2048 МБ.

Разгон памяти на платформе LGA1155 такой же, как и на любой другой за одним лишь исключением — пользователю доступны частоты в определенных пределах. Дело в том, что с переносом тактового генератора в чипсет, частоты всех шин материнской платы и узлов процессора стали зависеть от базовых 100 МГц, не сильно поддающихся разгону. Но, как и ранее, память по-прежнему кратна 133 МГц (или эффективным 266 МГц), т.е. ее опорная частота имеет соотношение с базовой как 4:3. Изменяя BCLK при разгоне, с тем же соотношением будет меняться и опорная частота памяти. Например, наш тестовый процессор стабильно работает лишь при базовой от 98 до 107 МГц, а искомое значение находится в пределах 130—142 МГц (X=BCLK/3x4). Последнее перемножается на коэффициент умножения памяти х3—х9 (или х6—х18 для получения эффективной частоты; на некоторых платах уже появилась поддержка памяти свыше 2400 МГц).

Чтобы пользователям было проще при настройке системы, производители в прошивках своих плат сразу указывают результирующую частоту памяти, которую также можно назвать режимом ее работы: 800 МГц, 1066 МГц, 1333 МГц, 1600 МГц и т.д. При изменении базовой тут же будет меняться и значение результирующей частоты, что очень удобно и не требует держать при себе калькулятор. Но, как уже отмечалось выше, разогнать память, покрыв промежуток частот от 800 до 2400 МГц, а то и выше, не выйдет, так как после 105—107 МГц по BCLK система теряет стабильность. В конечном итоге пользователям доступны следующие значения (потенциал памяти выяснялся именно при них; ниже режима 1333 МГц и выше 2400 МГц не рассматриваются):
  • режим DDR3-1333: от 1306 до 1426 МГц;
  • режим DDR3-1600: от 1568 до 1712 МГц;
  • режим DDR3-1866: от 1830 до 1997 МГц;
  • режим DDR3-2133: от 2090 до 2282 МГц;
  • режим DDR3-2400: от 2352 до 2568 МГц.
Как видим, около 70—140 МГц между режимами работы памяти недоступны и если модули способны функционировать на 1800 или 2050 МГц, то придется ограничиться меньшими значениями. Естественно, с другим процессором, возможно, пределы частоты будут несколько иными.

Что касается напряжения питания, то мы ограничились номинальными 1,5 В и немного увеличенными до 1,65 В. Процессор работал с множителем х34 при напряжении 1,325 В. Разгонный потенциал выяснялся для таких наборов таймингов: 7-9-7-24, 7-9-10-24, 8-10-8-27, 8-10-9-27, 9-11-9-27, 9-11-10-27, 10-12-10-30 и 10-12-11-30 с Command Rate 1T. Второстепенные задержки, как и остальные настройки, оставались в значении Auto.


Результаты разгона

Разгон GeIL GOC34GB2133C10ADC

К сожалению, из-за ограничений платформы LGA1155 выяснить реальный потенциал памяти очень сложно. Часто приходиться упираться в предельные 107 МГц по базовой (1712 МГц с задержками 7-9-8-24 тому подтверждение). Но, в целом, результат комплекта GeIL GOC34GB2133C10ADC не сильно отличается от аналогичных на базе микросхем Hynix. Память неплохо отреагировала на повышение напряжения, хотя уже ближе к 2300 МГц прибавка была небольшой. Провалы частоты на графике с таймингами 8-10-9-27 и 9-11-10-27 при использовании напряжения 1,5 вольт объясняется все той же «слепой» зоной, когда разогнать память не позволяет базовая, а потенциал микросхем не настолько велик, чтобы использовать следующий режим работы. Ну и перешагнуть барьер 2300 МГц не удалось — ни увеличение задержек, ни повышение напряжения питания в этом плане не помогли. С другой стороны, частоты свыше 1600 МГц особой прибавки к производительности системы не дают, а нашего результата в 2282 МГц будет достаточно для раскрытия потенциала практически любого процессора с разъемом LGA1155.


Выводы

По правде говоря, год тому назад вряд ли кто мог подумать, что микросхемы Hynix станут популярными среди производителей комплектов памяти. Сейчас их можно встретить как в дешевых планках, так и в модулях, рассчитанных на энтузиастов. Такой успех, скорее всего, обусловлен высокой плотностью чипов и большой рабочей частотой, которая достигается за счет повышенных таймингов. Но сейчас проще продать комплекты DDR3-2133 с «десятками», чем функционирующие на 1600 МГц с CL7. Особенно это актуально в свете невысокой стоимости памяти в целом.

Комплект GeIL GOC34GB2133C10ADC из серии Evo Corsa имеет оригинальный внешний вид и относительно неплохой потенциал, для раскрытия которого все же придется поднять напряжение питания. При желании можно будет дополнительно увеличить производительность системы на номинальной частоте, снизив CAS Latency до 9. Помехой для использования в некоторых системах могут стать лишь высокие радиаторы, которые, в принципе, для современных чипов DDR3 особо и не нужны.