Британські компанії Quinas Technology та IQE plc оголосили про готовність до запуску виробництва нової експериментальної пам’яті UltraRAM. Після року тісної співпраці партнери подолали низку технічних труднощів, розробили метод епітаксії шарів напівпровідникових сполук і готові переходити до дослідного виробництва. Наразі тривають переговори з напівпровідниковими виробниками для запуску у виробництво перших пластин та пакування кристалів. Це стане першим кроком на шляху до комерційного впровадження нового продукту.
Ми вже писали про розробку цього типу пам’яті. UltraRAM має поєднати швидкість DRAM і стійкість NAND для довготривалого зберігання даних. Технологія заснована на резонансному тунелюванні в прецизійно вирощених шарах антимоніду галію та антимоніду алюмінію. Новий процес епітаксії дає змогу інженерам контролювати розмір атомних шарів, щоб за звичайного методу фотолітографії та травлення створювати надійні осередки пам’яті. Під час лабораторних випробувань конструкція продемонструвала швидку комутацію, дуже низьке споживання енергії та довгий час зберігання даних, що вимірюватиметься роками. Якщо такі характеристики вдасться відтворити в більшому масштабі для масового виробництва, це здатне перевернути ринок пам’яті.
Але говорити про революцію поки зарано. Треба дочекатися результатів дослідного виробництва і тестування перших повноцінних зразків UltraRAM.
Джерело:
TechPowerUp