Компанія Samsung опублікувала фінансовий звіт за третій квартал 2025 року та оголосила про плани з випуску пам’яті на найближчий рік. За підсумками кварталу виторг зріс на 15,4% порівняно з минулим кварталом, і компанія встановила історичний рекорд квартальних продажів у сегменті пам’яті. Таке зростання забезпечене високим попитом у сфері ШІ, що стимулює продажі пам’яті HBM3E для спеціалізованих прискорювачів обчислень і серверних SSD для систем зберігання даних.
Samsung вже готується до запуску масового виробництва нового типу пам’яті HBM4, яка запропонує швидкість обміну даними до 11 Гбіт/с на чип. Постачання розпочнеться у 2026 році. Така пам’ять може знайти застосування в графічних чипах для NVIDIA Rubin і AMD MI400, які орієнтовані на сегмент ШІ. Раніше про готовність до масового виробництва цього типу пам’яті вже заявив конкурент SK Hynix.
Компанія розширить асортимент пам’яті DDR5 і GDDR7, пропонуючи рішення підвищеної місткості, наприклад, запропонує 128 ГБ DDR5 і вище. Графічна пам’ять GDDR7 збереже високу популярність і 2026 року. На ринку очікуються нові споживчі відеокарти NVIDIA RTX 50 Super та, можливо, нові моделі AMD Radeon c GDDR7. Також NVIDIA запустить у сегменті ШІ нові спеціалізовані прискорювачі Rubin CPX з GDDR7. Загалом пропозиція зараз зміщується в сегмент ШІ, що поступово призводить до дефіциту і зростання цін на DRAM і SSD у споживчому сегменті.
Також великі надії Samsung покладає на новий техпроцес 2 нм із застосуванням транзисторів GAA. Технологію використовуватимуть для випуску власних чипів Exynos і нових Qualcomm Snapdragon. За чутками на тлі підвищення цін на 2 нм від TSMC деякі великі компанії також вивчають можливість переходу на виробничі потужності Samsung.
Джерело:
Wccftech