Компанія Samsung представила нові розробки в сегменті пам’яті на Корейському технологічному фестивалі в Сеулі. А нова високошвидкісна пам’ять GDDR7 навіть отримала спеціальну нагороду. Фахівці Samsung розробили модулі GDDR7 з рекордною продуктивністю 40 Гбіт/с. Раніше компанія вже демонструвала мікросхеми зі швидкістю 36 Гбіт/с. Сучасні GeForce RTX 50 використовують пам’ять GDDR7 28–30 Гбіт/с.
Нова мікросхема GDDR7 виконана на базі техпроцесу Samsung 12 нм (клас 10 нм) і має ємність 3 ГБ (24 Гб). Такі модулі застосовуються нечасто. Більшість відеокарт використовують мікросхеми 2 ГБ, але, наприклад, у мобільній GeForce RTX 5090 вісім мікросхем GDDR7 на 3 ГБ, що за шини 256 біт дає змогу отримати 24 ГБ загальної пам’яті. Згідно з чутками NVIDIA планує перевести багато відеокарт GeForce RTX 50 Super на 3‑ГБ мікросхеми, щоб збільшити обсяг доступної пам’яті. І зараз Samsung активно виробляє мікросхеми 3 ГБ 28 Гбіт/с, які можуть використовуватися в таких відеокартах. Нові модулі GDDR7 40 Гбіт/с можуть стати основною для майбутнього покоління відеокарт, що вказує на довгоочікуване збільшення обсягу пам’яті в нових GPU.
Конкурент SK Hynix теж активно веде розробки в цьому напрямку. Наступного року компанія розраховує представити пам’ять GDDR7 3 ГБ зі швидкістю до 48 Гбіт/с. Відносно сучасного покоління це дасть змогу підняти пропускну здатність більш ніж на 70%.
Джерело:
TechPowerUp