На тлі санкційного тиску в Піднебесній активно посилюють внутрішні розробки та фінансують нові дослідницькі проєкти для досягнення самодостатності в стратегічному виробництві чипів. Так чи інакше, всі кремнієві технології створення чипів упруться в певні технологічні рамки. І наступний етап технологічного розвитку має забезпечити кремнієва фотоніка, яка об'єднає кремнієві обчислювальні пристрої з оптичною системою передачі сигналів для високої швидкості обміну даними та мінімізації затримок. Цей напрямок розвивається вже багато років, але основною проблемою залишається проблема інтеграції різних компонентів.
Тепер китайські вчені кажуть, що їм вдалося зробити значний прорив. Лабораторія JFS у місті Ухань, головна національна база досліджень у галузі фотоніки, змогла запустити лазерне джерело світла, інтегроване в кремнієвий чип. Це перший крок до самостійного освоєння нової сфери оптоелектронних чипів. Але від лабораторного прототипу до масового виробництва може пройти дуже багато часу.
Лабораторія JFS заснована 2021 року й отримала державне фінансування на свої дослідження в розмірі 8,2 млрд юанів (1,2 млрд доларів США). Це один із провідних технологічних центрів Китаю. І загалом країна зараз активно вкладається в дослідження та розробки. Цього року технологічний гігант Huawei запустив Lianqiu Lake R&D Center, який обійшовся компанії в 1,4 мільярда, а працювати в ньому будуть 35 тисяч учених і фахівців. Проте поки що Китай відстає від решти світу в технологіях виробництва напівпровідникових чипів, оскільки в країну заборонено постачання обладнання для передової EUV-літографії.
Джерела:
Wccftech
South China Morning Post