Работа над следующим стандартом памяти Double Data Rate набирает обороты. Как сообщает южнокорейское издание The Elec, крупные чипмейкеры, включая SK hynix, Samsung и Micron, уже приступили к разработке микросхем DDR6 в своих лабораториях и сотрудничают в этом направлении с производителями подложек. Эта совместная работа ведётся под надзором комитета JEDEC, который курирует разработку нового стандарта.
Стоит добавить, что стандарт памяти Double Data Rate 6 ещё не был официально утверждён. В настоящее время чипмейкеры вместе с партнёрами отталкиваются от предварительных спецификаций новых микросхем. Напомним, что ключевые особенности оперативной памяти DDR6 6 организация JEDEC обозначила ещё в 2024 году.
По планам JEDEC, стандарт DDR6 позволит увеличить скорость передачи данных до 8,8−17,6 Гбит/с, а в дальнейшем этот показатель должен вырасти до 21 Гбит/с. Одним из главных нововведений станет использование четырёх 24-битных подканалов вместо двух 32-битных у планок DDR5. Также ожидается более широкое использование модулей формата CAMM2.
Что касается сроков старта коммерческого производства DDR6, то он состоится ориентировочно в 2028–2029 годах.
Источник:
VideoCardz