Полупроводниковая компания NEO Semiconductor продемонстрировала прототип памяти на базе собственной технологии 3D X‑DRAM. Это решение для создания сверхплотной многослойной памяти нового поколения. По словам основателя компании, эта технология может обеспечить значительно более высокую плотность, низкую стоимость и улучшенную энергоэффективность для эпохи ИИ. Технология имеет важное значение для перехода к памяти 3D-DRAM. Ее важным преимуществом является возможность внедрения с использованием существующих технологий на базе производственной инфраструктуры 3D NAND. При этом разработчики напоминают, что в современной 3D NAND уже более 300 слоев, и это открывает огромные возможности для наращивания плотности 3D-DRAM.
Прототип нового типа памяти разработан в сотрудничестве с тайваньскими специалистами из National Yang Ming Chiao Tung University. Во время испытаний опытный образец показал задержку чтения/записи менее 10 нс, хранение данных более 1 секунды при 85°C (в 15 раз лучше, чем стандарт JEDEC 64 мс), высокие параметры устойчивости к помехам и выносливость 10¹⁴ циклов.
NEO Semiconductor отмечает важное значение инвестиций Стэна Ши, основателя компании Acer. Полученное финансирование помогло разработать прототип и поможет в будущем развитии этой памяти. Сейчас NEO Semiconductor ведет переговоры с крупными полупроводниковыми компании для потенциального коммерческого внедрения и продвижения своей технологии.