Китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) приступила к поставкам 128-слойной NAND-памяти с четырьмя битами на ячейку (QLC). Микросхемы изготавливаются с использованием собственной технологии 3D Xtacking.
Этот шаг важен для Китая в разрезе снижения зависимости от импорта высоких технологий и полупроводников. Новая память получит применение в китайских смартфонах и ноутбуках, а также других устройствах требовательных к ёмкости хранилища.
На данный момент YMTC использует технологию второго поколения Xtacking 2.0 для производства 128-слойных кристаллов 3D TLC NAND и 3D QLC NAND. Компания планирует перейти на Xtacking 3.0 где-то во второй половине 2022 года, и к тому времени еще больше нарастить производственные мощности предприятия.
Технология Xtacking оказалась достаточно удачной разработкой китайских специалистов. Она предполагает создание микросхем флэш-памяти с использованием двух полупроводниковых пластин: одна пластина содержит ячейки 3D NAND, а вторая с CMOS-логику (буферы, декодеры, селекторы, каналы передачи и т.д.).
Во втором поколении Xtacking 2.0 удалось достигнуть почти вдвое большей битовой плотности 8,48 ГБ/мм² против 4,42 ГБ/мм2 у Xtacking 1.0. В рамках 128-слойной 3D NAND это очень высокий результат, опережающий показатели лидеров отрасли Samsung (6,91 ГБ/мм²), Micron (7,76 ГБ/мм²) и Sk hynix (8,13 ГБ/мм²). Хотя нужно понимать, что китайцам понадобилось на несколько лет больше для вывода технологии на рынок.
Источник:
Tom's Hardware
