По сообщениям китайских источников, контрактный производитель полупроводников TSMC начнет пробное производство 3-нм пластин на фабрике Fab 18 в первой половине следующего года и будет готов массовому производству этой продукции во второй половине 2022 года. Помимо этого, научно-исследовательский отдел TSMC ускорил темпы исследований и разработок 2-нм техпроцесса.
Установка для фотолитографии в экстремальном ультрафиолете ASML Twinscan NXE:3400C
Недавно компания приобрела две ультрасовременные фотолитографические установки ASML на основе EUV-технологии, готовые к работе с 3-нм и 2-нм узлами. Что интересно, из-за высокой стоимости машин расходы на их покупку были списаны на дополнительные статьи. Это было сделано с целью удержания запланированных капитальных затрат на год в диапазоне 15–16 млрд долларов США.
С учетом последних тенденций создается впечатление, что в технологической гонке TSMC и Samsung Electronics первая компания вырывается вперед. Как мы знаем, в апреле TSMC запустила массовое производство 5-нанометровых микросхем и уже декларирует готовность освоить улучшенный 5-нм техпроцесс (5 нм+ или N5P) ближе к концу 2020 года.
Источник:
UDN
