Samsung Electronics планирует наладить массовое производство оперативной памяти DDR5 и LPDDR5 с применением EUV-литографии в 2021 году. По сообщениям источников, Samsung уже освоила среднесерийный выпуск DDR4 по EUV-техпроцессу и поставляет такие чипы избранным партнёрам.
Фабрика V1 в Хвасоне
На данный момент речь идет об одном миллионе отгруженных микросхем, изготовленных по технологии D1x 10-нм класса. Она представляет собой экспериментальный процесс ультрафиолетовой литографии, который использовался только для создания некоторых партий DDR4 DRAM. По словам руководства компании, в дальнейшем технология D1x применяться не будет.
Вместо этого для производства DDR5 и LPDDR5 в следующем году Samsung будет использовать высокотехнологичный процесс D1a класса 14 нм с несколькими слоями EUV. Ожидается, что D1a удвоит выход микросхем на каждую пластину (по количеству битовых ячеек DRAM) относительно технологии D1x.
К сожалению, Samsung официально не сообщает, сколько слоев EUV используется в процессах D1x и D1a, а также есть ли в них другие инновационные технологии.
Напомним, что в конце 2021 года AMD выпустит семейство серверных процессоров EPYC Genoa на базе архитектуры Zen 4. По доступным сведениям, именно Genoa первыми в индустрии получат поддержку памяти DDR5. Затем новшество расширится и на настольную платформу AMD с новым сокетом, отличным от AM4.
Источник:
AnandTech
