SK Hynix показала готовые решения на 128-слойных чипах 3D NAND

В середине лета SK Hynix сообщила о начале производства 128-слойных микросхем флэш-памяти типа 3D NAND TLC ёмкостью 1 Тбит (128 ГБ). Теперь настал черед продемонстрировать потребительские продукты на базе передовой флэш-памяти.

Hynix SSD

Речь идет о встраиваемых накопителях типа UFS 3.1 для топовых смартфонов и другой мобильной техники объемом 1 ТБ, клиентских SSD в формате M.2 2280 объемом 2 ТБ и корпоративных накопителях класса E1.L объемом 16 ТБ.    

Толщина одной BGA-микросхемы UFS 3.1 составляет всего 1 мм, что наверняка оценят производители ультратонких смартфонов. Мобильная техника с данным типом хранилища данных поступит в массовую продажу во второй половине 2020 года. Инженеры реализовали в UFS 3.1 технологию Write Booster, благодаря которой удваивается скорость линейной записи. Например, фильм объемом 15 ГБ может быть скопирован всего за 20 секунд.

NVMe-накопитель в формате M.2 рассчитан на использование в ноутбуках и игровых ПК. Он построен на базе упомянутой 128-слойной памяти 3D NAND TLC и собственном контроллере SK Hynix. Напряжение питание составляет всего 1,2 В, благодаря чему потребление устройства составляет 3 Вт, против 6 Вт у предшественников. Скорость последовательной передачи данных заявлена на уровне 1200 МБ/с. В рознице новинка появится в начале 2020 года.

SSD корпоративного уровня в форм-факторе E1.L объемом 16 ТБ поддерживает протокол NVMe 1.4. Скорость последовательного чтения достигает 3400 МБ/с, записи — 3000 МБ/с. Ожидается, что серийное производство этих продуктов начнется со второй половины следующего года.

Источник:
Guru3D

Обсудить в форуме (комментариев: 9)

Все новости за 20.11.2019 [ лента ]

Последние обзоры:

Голос внутри требует скорости