TSMC планирует освоить выпуск 5-нм продукции во втором квартале 2020 года

Руководство контрактного производителя полупроводниковой техники Taiwan Semiconductor Manufacturing Company на последнем квартальном отчете заявило, что компания готовится к массовому выпуску 5-нм продукции (N5) во втором квартале 2020 года. Ранее TSMC уже пообещала внедрить и 6-нм техпроцесс (N6) в 2020 году, однако именно 5-нм узел считается следующей значимой вехой по сравнению с современной 7-нм (N7) технологией. В это же то время нормы N7+ и N6 являются скорее промежуточными этапами на пути перед следующим крупным скачком.

TSMC Fab 14

TSMC ожидает, что спрос на 5-нм продукты будет стабильно высоким. На отчете было сказано, что компания увеличила капитальные инвестиции на этот год с 11 млрд до 15 млрд долларов. Из этих дополнительных $4 млрд, на расширение 7-нм линий выделят 1,5 млрд, а остальные 2,5 млрд вложат в перспективный 5-нм техпроцесс. Кроме того, в 2020 году данные инвестиции наверняка будут увеличены.

Вице-президент и генеральный директор TSMC Cи Си Вей (C.C. Wei) рассказал: «Во-первых, 5 нанометров будут в следующем году. Сейчас мы более оптимистичны и агрессивны, чем полгода назад. Мы вкладываем большие деньги в N5, но при этом ожидаем что они окупятся куда быстрее и в больших объёмах, чем это было с N7. Мы ожидаем рост доходов в следующем году на уровне 5-10%».

Новый 5-нм техпроцесс будет тесно связан с использованием экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Причем степень интеграции в данном случае куда выше чем в более старых техпроцессах: N5 предназначен для использования EUV на 14 уровнях, по сравнению с четырьмя и пятью уровнями в случае N7 + и N6. Кроме того, TSMC производит расходные материалы для литографии для собственных нужд, включая пленку и фоторезистивные материалы.

Помимо инвестиций в 5-нм нормы, TSMC приобрела 30 гектаров земли в Научном парке Южного Тайваня. На этих площадях в следующем году начнется строительство производственных линий, на которых будут выпускаться полупроводники по 3-нм технологии. Данный техпроцесс станет третьим после 7-нм+ и 5-нм, использующим экстремальную ультрафиолетовую литографию.

Источник:
Anandtech

Обсудить в форуме (комментариев: 26)