Этим утром Samsung Electronics отчиталась об успехах в совершенствовании технологии межкремниевых соединений Through Silicon Via (TSV). Южнокорейский гигант первым в отрасли освоил выпуск 12-слойных микросхем 3D-TSV, что позволит существенно нарастить ёмкость «бутерброда» из чипов DRAM.
Благодаря переходу на 12-слойную технологию TSV компания Samsung планирует в скором времени начать производство 24-гигабайтных микросхем оперативной памяти High Bandwidth Memory. Один такой чип содержит свыше 60 тысяч миниатюрных TSV-отверстий, через которые проходят каналы передачи информации. Корейцы также увеличили плотность размещения слоёв, благодаря чему высота микросхемы останется на прежнем уровне в 720 микрометров.
Отметим, что нынешние микросхемы HBM2 содержат до восьми 16-гигабитных слоёв, из-за чего их ёмкость ограничена 16 гигабайтами. Ещё в конце прошлого года комитет JEDEC обновил стандарт HBM, увеличив скорость передачи данных и допустимую ёмкость чипов памяти типа High Bandwidth. 12-слойные микросхемы Samsung HBM попадают под этот стандарт и, судя по всему, будут предложены в модификациях с пропускной способностью вплоть до 307 Гбайт/с.
Больше подробностей о 24-гигайбатных чипах High Bandwidth Memory южнокорейский производитель обнародует после запуска массового производства.
