Компания SK Hynix сообщила об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM2E с рекордной в отрасли пропускной способностью. Новые чипы обладают вдвое большей ёмкостью, а также увеличенной в полтора раза скоростью обмена данными относительно доступных на рынке HBM2.
Микросхемы SK Hynix HBM2E состоят из восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоёв, связанных посредством вертикальных межкремниевых соединений through-silicon-via (TSV). Один 16-гигабайтный стек памяти HBM2E характеризуется пропускной способностью 3,6 Гбит/с на контакт, что с учётом 1024-битного интерфейса обеспечивает скорость обмена информацией на уровне 460 Гбайт/с. Массовое производство микросхем HBM2E южнокорейский чипмейкер планирует наладить в следующем году.
Память SK Hynix HBM2E должна найти применение в сферах искусственного интеллекта и машинного обучения, ресурсоёмких вычислениях и high-end графических ускорителях. К примеру, видеокарта, оборудованная четырьмя стеками HBM2E, сможет похвастаться 64-гигабайтным буфером с впечатляющей пропускной способностью в 1840 Гбайт/с.
Источник:
SK Hynix