Южнокорейская фирма SK Hynix сообщила о начале коммерческого выпуска 128-слойных чипов флэш-памяти 3D NAND TLC вместимостью 1 Тбит (128 ГБ). Сама компания относит данные микросхемы к классу «4D NAND», что она объясняет переносом периферийных цепей управления под сами ячейки памяти. SK Hynix ожидает, что благодаря переходу с 96 на 128 слоёв суммарная ёмкость микросхем, «нарезаемых» с одной кремниевой пластины, увеличится на 40%.
128-слойные чипы 3D NAND TLC работают с напряжением 1,2 В и характеризуются скоростью передачи информации в 1,4 Гбит/с. Их поставки начнутся во второй половине этого года. По задумке SK Hynix, данные микросхемы найдут применение в топовых смартфонах, ёмкость хранилища в которых увеличивается с каждым годом, а также твердотельных накопителях для всех сегментов рынка.
Например, в первой половине следующего года южнокорейская компания намерена запустить массовое производство потребительских SSD объёмом 2 ТБ на базе контроллера собственной разработки. Кроме того, на 2020 год запланирован релиз NVMe-накопителей для центров обработки данных вместимостью 16 и 32 ТБ. Следующим этапом в развитии «4D NAND» от SK Hynix станут 176-слойные микросхемы.
Источник:
SK Hynix
