Корпорация Samsung Electronics объявила о разработке новых микросхем памяти DDR4 DRAM третьего поколения, изготавливаемых по техпроцессу 10-нм класса (1z-nm). Чипы ёмкостью 8 Гбит (1 ГБ) поступят в массовое производство во второй половине этого года.
Для справки, класс 10-нм охватывает реальные техпроцессы 10–19 нм, причем каждая буква по классификации Samsung соответствует конкретной величине. Предположительно, 1x это 18-19 нм чипы первого поколения, 1y — 15-17 нм (второе поколение) и 1z — 12-15 нм (третье поколение).
Говорится, что использование техпроцесса 1z-nm обеспечивает увеличение производительности по сравнению с 8-гигабитными чипами 10-нм класса второго поколения более чем на 20 процентов, а также увеличивает количество готовых микросхем с одной полупроводниковой пластины.
Основными потребителями новой памяти должны стать сегменты высокопроизводительных ПК и корпоративных серверов начиная со следующего года. Кроме того, успешное освоение техпроцесса 1z-nm 10-нм класса открывает дорогу к началу массового освоения новых типов памяти DDR5, LPDDR5 и GDDR6, которые в обозримом будущем появятся во многих потребительских продуктах.
Источник:
Samsung Electronics
