Южнокорейский чипмейкер SK Hynix сообщил об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5, полностью соответствующими требованиям комитета JEDEC. Для производства новых чипов используются технологии 10-нм класса, а их массовый выпуск планируется наладить в 2020 году.
Скорость передачи данных у микросхем DDR5 от SK Hynix составляет 5200 Мбит/с на контакт при напряжении питания в 1,1 В. Для сравнения, стандарт JEDEC для памяти DDR4 официально допускает скорости до 3200 Мбит/с.
Вместе с новыми чипами корейцы также анонсировали первый модуль RDIMM DDR5-5200 на их основе. Его пропускная способность составляет внушительные 41,6 Гбайт/с, чего ранее удавалось достичь лишь при экстремальном разгоне DDR4. SK Hynix уже отправила планки RDIMM и UDIMM DDR5 «крупному производителю чипсетов», чтобы помочь в разработке серверных и клиентских платформ, поддерживающих новый тип памяти.
По прогнозам аналитической компании IDC, в 2021 году DDR5 удастся занять четверть всего рынка DRAM, а годом спустя её доля должна вырасти до 44%.
Источник:
SK Hynix
