Корейский чипмейкер SK Hynix объявил о скором начале массового производства 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D NAND TLC, которые представители компании гордо называют «4D NAND». Ключевое отличие новых чипов от традиционной 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками под сам трёхмерный массив. Справедливо отметить, что похожие технологии задействуют и другие производители этого вида памяти, включая Samsung, Intel и Micron.
Как утверждают в SK Hynix, новые 96-слойные микросхемы обладают на 30% меньшими размерами, нежели их 72-слойные предшественники, а также обеспечивают на 25% и 30% большие скорости чтения и записи. В частности, для представленного 512-гигабитного (64 ГБ) чипа заявлена скорость передачи данных до 1,2 Гбит/с при напряжении 1,2 В.
Серийное производство 96-слойной флеш-памяти «4D NAND» TLC стартует до конца текущего квартала, вскоре после этого SK Hynix намерена анонсировать первый потребительский SSD на её основе. В следующем году южнокорейский чипмейкер планирует наладить выпуск аналогичных микросхем вместимостью 1 Тбит, хранящих как три (TLC), так и четыре (QLC) бита в одной ячейке.
Источник:
TechSpot
