Samsung Electronics объявила о старте массового выпуска потребительских твердотельных накопителей на базе памяти 3D V-NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). Новые SSD вместимостью до 4 Тбайт выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и, как утверждает южнокорейский гигант, по скоростным показателям не уступают аналогам с памятью TLC 3D V-NAND.
В основе новых твердотельных накопителей лежат 64-слойные чипы QLC 3D V-NAND объёмом 1 Тбит (128 Гбайт), а также контроллер Samsung MJX, использовавшийся в устройствах линейки 860 Evo с памятью TLC.
Пока ещё безымянные SSD будут доступны в версиях объёмом 1 ТБ, 2 ТБ или 4 ТБ и оборудованы интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Скорости последовательного чтения и записи достигают 540 и 520 Мбайт/с соответственно. Уровень быстродействия при работе с произвольными блоками, к сожалению, пока не раскрывается.
На прилавках магазинов вышеописанные SSD появятся ближе к концу года, ориентировочные цены устройств будут объявлены позже. В планы Samsung Electronics на ближайшее будущее также входит выпуск NVMe-накопителей форм-фактора M.2 с памятью QLC 3D V-NAND, адресованных корпоративным заказчикам.
Источник:
HotHardware
