Китайская компания Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) в понедельник представила первые сведения о готовящейся многослойной памяти 3D NAND собственного производства под названием Xtacking. Технология включает в себя создание микросхем флэш-памяти с использованием двух полупроводниковых пластин: одна пластина, содержащая фактические ячейки 3D NAND, и еще одна пластина с CMOS-логикой.
Традиционно создатели флэш-памяти типа NAND производят массив памяти и управляющую логику (декодирование адреса, буферы страниц и т.д.) на одной пластине, выполненную по единому технологическому процессу. Напротив, YMTC намеревается сделать свой массив NAND и логику на двух разных пластинах c различными технологическими процессами. Объединение пластин происходит благодаря миллионам токопроводящих отверстий VIA (Vertical Interconnect Accesses). Напомним, аналогичную технологию склеивания пластин уже предлагала TSMC.
Схематичное представление архитектуры YMTC Xtacking
В обычной архитектуре флэш-памяти NAND периферийные схемы занимают около 20-30% площади чипа, расходуя тем самым транзисторный бюджет чипа. По мере того, как технология 3D NAND будет развиваться до 128 слоев и выше, затраты на периферийные схемы составят более 50% полезного объема. Новая память Xtacking позволит исключить данные недостатки.
Более того, Xtacking может предложить значительно возросшую скорость передачи данных: до 3 Гбит/с на один чип. Для сравнения, у самой производительной на данный момент памяти Samsung 3D V-NAND скорость передачи данных одной микросхемы составляет около 1,4 Гбит/с, а 64-слойная память производства Micron работает на максимальной скорости в 1 Гбит/с. На бумаге высокая производительность ввода-вывода позволила бы производителям создавать скоростные SSD с простым контроллером на пару каналов, где высокая скорость компенсировала бы низкий параллелизм.
Что касается технологических норм полупроводниковых пластин, то они достаточно «грубые» по современным меркам. Например, пластина с логикой изготавливается по 180-нм техпроцессу. Литография пластины с 3D NAND не раскрывается, но по оценкам специалистов она находится в пределах 50-нм. С другой стороны, такие технормы значительно облегчают совмещение пластин и совпадение отверстий.
Завтра генеральный директор YMTC Саймон Янг (Simon Yang) выступит с докладом на конференции Flash Memory Summit в Санта-Кларе и возможно раскроет дополнительные подробности о новой технологии Xtacking.
Иточник:
Anandtech
