Yangtze Memory готовит инновационную флэш-память типа NAND

Китайская компания Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) в понедельник представила первые сведения о готовящейся многослойной памяти 3D NAND собственного производства под названием Xtacking. Технология включает в себя создание микросхем флэш-памяти с использованием двух полупроводниковых пластин: одна пластина, содержащая фактические ячейки 3D NAND, и еще одна пластина с CMOS-логикой.

Yangtze Memory Technologies Company Xtacking

Традиционно создатели флэш-памяти типа NAND производят массив памяти и управляющую логику (декодирование адреса, буферы страниц и т.д.) на одной пластине, выполненную по единому технологическому процессу. Напротив, YMTC намеревается сделать свой массив NAND и логику на двух разных пластинах c различными технологическими процессами. Объединение пластин происходит благодаря миллионам токопроводящих отверстий VIA (Vertical Interconnect Accesses). Напомним, аналогичную технологию склеивания пластин уже предлагала TSMC.

Yangtze Memory Technologies Company Xtacking
Схематичное представление архитектуры YMTC Xtacking

В обычной архитектуре флэш-памяти NAND периферийные схемы занимают около 20-30% площади чипа, расходуя тем самым транзисторный бюджет чипа. По мере того, как технология 3D NAND будет развиваться до 128 слоев и выше, затраты на периферийные схемы составят более 50% полезного объема. Новая память Xtacking позволит исключить данные недостатки.

Более того, Xtacking может предложить значительно возросшую скорость передачи данных: до 3 Гбит/с на один чип. Для сравнения, у самой производительной на данный момент памяти Samsung 3D V-NAND скорость передачи данных одной микросхемы составляет около 1,4 Гбит/с, а 64-слойная память производства Micron работает на максимальной скорости в 1 Гбит/с. На бумаге высокая производительность ввода-вывода позволила бы производителям создавать скоростные SSD с простым контроллером на пару каналов, где высокая скорость компенсировала бы низкий параллелизм.

Что касается технологических норм полупроводниковых пластин, то они достаточно «грубые» по современным меркам. Например, пластина с логикой изготавливается по 180-нм техпроцессу. Литография пластины с 3D NAND не раскрывается, но по оценкам специалистов она находится в пределах 50-нм. С другой стороны, такие технормы значительно облегчают совмещение пластин и совпадение отверстий.

Завтра генеральный директор YMTC Саймон Янг (Simon Yang) выступит с докладом на конференции Flash Memory Summit в Санта-Кларе и возможно раскроет дополнительные подробности о новой технологии Xtacking.

Иточник:
Anandtech

Обсудить в форуме (комментариев: 10)

Все новости за 07.08.2018 [ лента ]

Последние обзоры:

Скорость - настроение души