Один из ведущих производителей памяти DRAM и NAND, компания SK Hynix на днях добавила в свой каталог продукции 16-гигабитные (2 ГБ) микросхемы памяти DDR4. На практике это означает возможность двукратного увеличения ёмкости на один модуль, поскольку до этого максимальная плотность одной микросхемы DDR4 составляла 8 Гбит.
Отныне производитель может создавать двухранговые 64-гигабайтные модули для настольных и серверных платформ, а также четырехранговые 128-гигабайтные и восьмиранговые 256-гигабайтные модули LRDIMM для серверов. Например, максимальный объём ОЗУ для высокопроизводительных серверных платформ Intel и AMD теперь составит 4 ТБ. Вторым преимуществом более ёмких микросхем является создание модулей ОЗУ текущего объёма но с меньшим количеством микросхем и более низким энергопотреблением.
Новые 16-гигабитные чипы организованы как 1Gx16 или 2Gx8 и поставляются в исполнении FBGA96 и FBGA78 соответственно. Напряжение питания составляет 1,2 В. На данный момент доступны чипы DDR4-2133 с таймингами CL15 и DDR4-2400 с CL17. В третьем квартале компания планирует расширить ассортимент продукции микросхемами DDR4-2666 с таймингами CL19.
Источник:
TechPowerUp
