Компания Samsung Electronics будет готова предоставить клиентам микросхемы многослойной памяти типа HBM (High Bandwidth Memory) в начале следующего года. Об этом было официально объявлено в ходе конференции Intel Developer Forum в г. Сан-Франциско (штат Калифорния, США).

Первой массовое производство HBM наладила SK Hynix, значительно опередив своего маститого соперника. Кристаллы HBM1 используются в графических решениях AMD Fiji, а именно видеокартах Radeon R9 Fury X, R9 Fury и готовящейся R9 Nano (или R9 Fury Nano — окончательный вариант названия пока неизвестен).

SK Hynix HBM

Память SK Hynix HBM2 позволит вдвое увеличить объем многослойных микросхем и также вдвое повысить пропускную способность подсистемы ОЗУ — до 1 ТБ/с. В свою очередь, Samsung обещает предоставить заказчикам чипы, формирующие 6144-битный интерфейс памяти и суммарный объем буфера вплоть до 48 ГБ (в зависимости от количества микросхем и слоев). Правда, маловероятно, что данные технологии успеют пройти «обкатку» до начала 2016 г.

В сегменте настольных ПК память Samsung HBM будут использовать графические ускорители AMD Arctic Islands и Nvidia Pascal, а также, возможно, новые ревизии нынешних 28-нм решений AMD Fiji.


Источники:
TweakTown
KitGuru