Высокое напряжение на памяти опасно для Intel Nehalem

Ни для кого сейчас не секрет, что в подавляющем большинстве случаев, повышение напряжения является обязательным условием для более - менее серьезного разгона.

На днях ресурс NordicHardware поделился информацией о некоторых подводных камнях вольтмода процессоров поколения Nehalem. Как уже давно известно, новые процессоры будут поддерживать память типа DDR3-800, DDR3-1066, и, вероятно, DDR3-1333, хотя насчет последней еще нет окончательно решения. Такое решение Intel вызвало немало вопросов в свое время - ведь уже сейчас существуют модули DDR3 памяти со значительно более высокими частотами, и отсутствие их поддержки перспективными процессорами выглядит, по меньшей мере, необоснованно. Однако ситуация похоже проясняется - по версии сотрудников скандинавского ресурса, напряжения, подаваемое на процессор, и на встроенный контроллер памяти будут синхронизированы, из чего следует, что модули памяти с высоким напряжением будут негативно влиять на работоспособность процессоров, вплоть до их полного выхода из строя.

Intel Nehalem - Схема контроллера памяти

Судя по представленной информации, опасным для процессоров Bloomfield будет напряжение от 1,8 В. Собственно, это и является основным ограничивающим фактором на используемую память - ведь высокие частоты, как правило, сопровождаются значительным рабочим напряжением. Решить проблему могут «специальные» планки памяти, заточенные под платформу Nehalem - в свете того, что для этих процессоров важнее частоты, нежели тайминги, то при пониженном напряжении единственным способом сохранить высокие частоты является увеличение таймингов.

В подтверждение своих выводов, наши коллеги провели несколько экспериментов по разгону памяти Corsair типа DDR3-1333. При напряжении 1,67 В удалось достичь частоты 1600 МГц, а при повышении его до 1,7 В удалось достичь функционирования памяти в режиме DDR3-1800.