Компания Intel заявила, что она готова уже к концу 2007 года запустить в производство новое поколение чипов памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), или PRAM. По словам разработчиков, главной особенностью нового поколения является то, что 128-мегабитные чипы разработаны с использованием 90нм техпроцесса.

Менеджеры компании Intel, убеждены, что новая разработка сможет уже в ближайшем будущем заменить DRAM в компьютерных системах.

На вопросы связанные с появлением новой памяти, а также о том, как быстро будет происходить смена DRAM, ответили Браян Харисон (Brian Harrison) вице президент FMG, и также Эд Доллер (Ed Doller) заведующий по технологиям флэш-памяти компании Intel, на пресс-конференции, которая проходила на этой неделе в Калифорнии.

Так Браян Харисон отметил, что память будет производиться по технологии, купленной у компании Ovonyx. В свою очередь, Эд Доллер представил общественности данные о некоторых технических особенностях новинки. В частности он сообщил, что новая память сможет выдерживать до 100 млн. циклов чтения/записи и её срок эксплуатации составляет, как минимум, 10 лет.

За последние шесть лет интерес к изготовлению памятей по новым технологиям значительно возрос. Зная лишь о том, что новинка выйдет только в первой половине 2008 года, представители компаний Renesas Technology Corp и Hitachi Ltd на конференции ISSCC уже обсуждали вопросы, связанные с использованием PRAM-памяти в компьютерных системах.