Вместе с оглашением финансовых итогов прошлого квартала руководство Micron Technology отчиталось о последних успехах в разработке новых продуктов. Американский чипмейкер похвастался, что ему удалось создать самые быстрые в мире микросхемы памяти HBM4. Для них компания заявляет скорость передачи информации 11 Гбит/с на контакт, что более чем на треть выше, чем указано в официальных спецификациях JEDEC для этого типа памяти (до 8 Гбит/с).
В настоящее время Micron поставляет своим ключевым заказчикам образцы вышеупомянутых микросхем HBM4, готовясь наладить массовые поставки в следующем году. Пропускная способность одного такого стека памяти составляет впечатляющие 2,8 ТБ/с. В дальнейшем Micron Technology продолжит увеличивать скоростные показатели многослойной памяти, готовясь к переходу на HBM4E. Интересно, что изготовление кристалла с логикой для нового поколения микросхем компания планирует поручить тайваньской TSMC.
Micron также работает над улучшением характеристик чипов LPDDR5 и GDDR7. Сейчас американский чипмейкер поставляет своим партнёрам видеопамять со скоростью 32 Гбит/с, а в будущем планирует преодолеть отметку 40 Гбит/с. Это в теории позволит увеличить пропускную способность памяти у топовых видеокарт, вроде преемницы GeForce RTX 5090 с 512-битной шиной, сверх 2,5 Тбайт/с. Правда, ориентировочные сроки начала массового производства таких чипов GDDR7 компания пока не уточняет.
Источник:
TechPowerUp