Один из крупнейших производителей полупроводников, компания GlobalFoundries объявила о начале сотрудничества с Наньянским технологическим университетом (главный технический ВУЗ Сингапура) в сфере разработки резистивной памяти с произвольным доступом ReRAM.
В соответствии с договором, Национальный исследовательский фонд Сингапура обеспечит необходимое финансирование Наньянскому технологическому университету, который возглавит исследования. Проект займет четыре года и обойдется в 120 миллионов сингапурских долларов (88 млн долл. США). GlobalFoundries предоставит собственные производственные линии и инженерную базу для этих разработок.
В настоящее время для чипов, которым требуется встроенная память относительно большой емкости, используется технология eFlash. При выпуске с использованием современной литографии (менее 20 нм) она имеет многочисленные ограничения, в особенности надежность и производительность. Поэтому GlobalFoundries и другие производители микросхем ожидают, что на смену eFlash в скором времени придет магниторезистивная энергонезависимая память MRAM.
В основе работы MRAM лежит считывание магнитной анизотропии (ориентации) двух ферромагнитных пленок, разделенных тонким барьером. Она не требует цикла стирания перед записью данных, что делает этот тип существенно быстрее, чем eFlash. Кроме того, процесс записи требует значительно меньшего количества энергии. С другой стороны, плотность MRAM относительно небольшая, ее магнитная анизотропия уменьшается при низких температурах, что весьма ограничивает сферу применения MRAM.
В свою очередь технология ReRAM обладает рядом преимуществ по сравнению с MRAM. Она основана на изменении сопротивления через диэлектрический материал с помощью электрического тока. Эта разработка не требует цикла стирания, обещает очень высокий ресурс и может работать в широком диапазоне температур при условии использования правильных материалов.
Собственно говоря, поиск и разработка этих самых материалов и будет главной темой исследования Наньянского технологического университета, тогда как GlobalFoundries будет работать над экономически эффективным способом производства нового типа памяти.
Источник:
Anandtech
