В прошлом году Toshiba Memory впервые рассказала об инновационной флэш-памяти под названием XL-Flash. Данная разработка представляет собой эволюцию 3D NAND с увеличенным количеством плоскостей, низкими задержками и одноуровневой организацией хранения бита в ячейке (SLC — Single Level Cell).
Сейчас Toshiba предоставила больше информации об XL-Flash, включая график выхода на рынок: пробное производство начнется в сентябре, а массовые поставки следует ожидать в следующем году.
Первое поколение XL-Flash будет представлено чипами ёмкостью 128 Гбит (16 Гбайт) с возможностью размещения в одной BGA-микросхеме от двух до восьми таких кристаллов. Количество плоскостей (planes) будет увеличено до шестнадцати (у обычной 3D NAND эта цифра равняется двум или четырем плоскостям).
Размер страницы будет 4 КБ, что также значительно меньше, чем у большинства типов 3D NAND. По словам Toshiba, задержка чтения составит менее 5 мкс, по сравнению с 50 мкс для их массовой памяти BiCS 3D TLC. По своей производительности Toshiba XL-Flash займет нишу между памятью DRAM и NAND. Таким образом, основными конкурентами для XL-Flash можно считать 3D XPoint от Intel или Z-NAND от Samsung.
Источник:
AnandTech
