На мероприятии International Solid State Circuits Conference представители концерна SK Hynix сообщили о планах по строительству четырех новых предприятий в Южной Корее, которые будут сосредоточены на разработке и производстве памяти DRAM. На это планируется потратить около $107 млрд в течение ближайших лет.
По мнению специалистов, данные капиталовложения могут быть вызваны увеличением производства DRAM и NAND в Китае за последние годы. Китайские компании агрессивно завоевывают новые доли рынка и нынешним лидерам в лице Samsung и SK Hynix необходимо принимать соответствующие меры для противодействия.
Данные инвестиции SK Hynix рассчитаны на десятилетия. Компания предвидит последовательное увеличение спроса на полупроводниковую продукцию благодаря растущему использованию систем ИИ и беспилотных автомобилей во всем мире. Новые технологии требуют для работы большие объемы скоростной памяти, которые и готова предложить SK Hynix.
Кроме того, специалисты компании продемонстрировали рабочий образец модуля SDRAM стандарта DDR5. Он характеризовался объёмом 16 Гбайт, напряжением питания 1,1 В и скоростью работы 6400 Мбит/с на контакт. Массовый выпуск DDR5 может начаться уже в четвертом квартале этого года, а к 2021 данный вид оперативной памяти займет 25% рынка.
Источник:
Overclock3D
