Прошедшим вечером Micron Technology и корпорация Intel представили публике очередные плоды своего сотрудничества в виде 64-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND, хранящих по четыре бита в одной ячейке (QLC). Ёмкость отдельно взятой микросхемы составляет 1 Тбит (125 Гбайт), благодаря чему объём BGA-чипа, содержащего в себе 16 таких кристаллов, составит рекордные 2 ТБ. Более того, чипмейкеры уже приступили к работе над 96-слойными решениями, что позволит создавать микросхемы ещё большей ёмкости.
Как отмечают представители Intel и Micron, микросхемы 3D NAND QLC позволяют ещё больше снизить стоимость твердотельных накопителей в пересчёте на один гигабайт. Правда, конкретные цены пока не называются. Главным недостатком памяти QLC NAND является более низкая выносливость по сравнению с TLC NAND, использующейся во многих современных SSD. По оценкам вендоров, чипы памяти 3D NAND QLC способны выдержать около 1000 циклов перезаписи.
Одними из первых устройств на базе памяти 3D NAND QLC станут твердотельные накопители Micron 5210 ION, адресованные корпоративным заказчикам. Устройства выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма, оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с, характеризуются ёмкостью от 1,92 до 7,68 Тбайт и, по задумке производителя, должны составить конкуренцию традиционным жёстким дискам.
Подробные технические характеристики накопителей Micron 5210 ION станут известны ближе к осени, когда чипмейкер планирует начать их массовые поставки. В то же время Intel должна представить свои устройства с памятью 3D NAND QLC на конференции Flash Memory Summit, которая пройдёт в августе.
Источник:
Intel
