В ходе прошедшей ежегодной выставки-конференции Flash Memory Summit (г. Санта-Клара, США) стало известно о намерениях компании Samsung Electronicsпредставить миру SSD-накопитель невиданного ранее объёма — 16 ТБ.

Samsung TCX V-NAND

Для достижения такой огромной емкости Samsung будет использовать новые 48-слойные чипы памяти TLC V-NAND. Более того, 16 ТБ будут «упакованы» в стандартный 2,5-дюймовый корпус. Вероятно, внутри будет несколько печатных плат с распаянными на них чипами памяти (необходимо ни много ни мало 60 чипов).

Samsung TCX V-NAND

Переход на 48-слойные чипы сулит немалую выгоду: судя по приведенным слайдам, производительность увеличится более чем в 2 раза, а энергопотребление существенно снизится.

Samsung TCX V-NAND

Дебютным продуктом с применением 48-слойной TLC V-NAND станет 16 ТБ (14,55 ТиБ) накопитель PM1633a. Немного позже появится PCI Express решение PM1725 с показателем скорости (чтение/запись данных) около 6 ГБ/с и 1 млн IOPS.

Samsung TCX V-NAND


Источник:
Guru3D