Компания Samsung Electronics, занявшая по итогам 2009 года второе место в списке самых успешных IT-предприятий, объявила о выпуске 40-нанометровых микросхем памяти DDR3 объемом 4 Гбит. Новые высокоемкие чипы способны корректно функционировать на частотах до 1600 МГц при напряжении 1,5 или 1,35 В; более того, их первые партии уже нашли применение в серверных модулях Registered DIMM на 16 и 32 ГБ, а также в 8-гигабайтных планках SO-DIMM.

память Samsung 40-нм 4 Гбит

«Когда наша DDR3-память класса 40-нм была впервые представлена в июле прошлого года, мы были далеко впереди конкурентов в области разработки скоростных высокоемких модулей DDR3», – сказал Донг-Су Джун (Dong-Soo Jun), исполнительный вице-президент по маркетингу памяти компании Samsung. «Сейчас, всего за семь месяцев, мы ввели сверхэкономичную «Green Memory» того же объема. В частности, в составе 16 ГБ планок она потребляет на 35% меньше электропитания, тем самым отвечая ожиданиям заказчиков».

Теперь, с анонсом энергоэффективных 4-гигабитных микросхем DDR3, Samsung планирует практически полностью (90%) перевести производство оперативной памяти на 40-нанометровый техпроцесс.


Источник:
TCMagazine