Новая разработка имеет пропускную способность до 28 ГБ/с, что более чем в два раза превосходит аналогичный показатель предыдущего поколения, составляющий 12,8 ГБ/с. Номинальное напряжение GDDR5 снижено на 10% по сравнению со стандартным вольтажом GDDR4 и составляет 1,35 В.

В отличие от GDDR4, работающей по технологии strobe-and-clock и жестко привязанной к тактовой частоте, графическая память пятого поколения не требует синхронизации импульсов такта и сигнала чтения/записи, что положительно сказывается на производительности. Кроме того, применение 50-нм норм позволит значительно снизить операционные расходы по сравнению с 60-нм техпроцессом. Уже сейчас доступны чипы 32 Мбит х32, которые также могут быть сконфигурированы как 64 Мбит x16.
Samsung предполагает, что в текущем году GDDR5 займет 20% рынка видеопамяти, поэтому затратное переоборудование производства в соответствии с 50-нм нормами должно оправдать себя в полной мере.
Источник:
TCMagazine