
На проходящей в Сан-Франциско выставке International Solid-State Circuits Conference 2009 были показаны микросхемы, имеющие вдвое больший объём. Новые чипы выполнены по 130-нм техпроцессу, работают при напряжении 1,8 В, и, что самое приятное, совместимы с существующим интерфейсом DDR2. Среди указанных характеристик стоит отметить пиковую скорость чтения/записи, которая составляет 1,6 Гбит/с.
В планах Toshiba значится дальнейшее развитие памяти этого типа. В глазах концерна это идеальное решение для мобильных телефонов, ноутбуков и прочих устройств, где важны компактность и экономичность.
Источник:
TCMagazine