Toshiba представила чипы памяти FeRAM объёмом 128 Мбит

Три года назад компания Toshiba в сотрудничестве с NEC представила новый тип памяти FeRAM (Ferroelectric random-access memory). По своему устройству она похожа на память типа DRAM, в которой слой диэлектрика заменен слоем сегнетоэлектрика. Тогда были показаны чипы объёмом 64 Мбит, а главным достоинством новинки была возможность сохранять данные даже после отключения электропитания, подобно памяти типа NAND. При этом FeRAM способна обеспечить скорость, сопоставимую с той, которую показывают привычные чипы DRAM.

FeRAM chip

На проходящей в Сан-Франциско выставке International Solid-State Circuits Conference 2009 были показаны микросхемы, имеющие вдвое больший объём. Новые чипы выполнены по 130-нм техпроцессу, работают при напряжении 1,8 В, и, что самое приятное, совместимы с существующим интерфейсом DDR2. Среди указанных характеристик стоит отметить пиковую скорость чтения/записи, которая составляет 1,6 Гбит/с.

В планах Toshiba значится дальнейшее развитие памяти этого типа. В глазах концерна это идеальное решение для мобильных телефонов, ноутбуков и прочих устройств, где важны компактность и экономичность.


Источник:
TCMagazine

Все новости за 11.02.2009 [ лента ]

Последние обзоры:

В стремлении к совершенству в неидеальном мире!