Рынок флэш-память развивается стремительными темпами, и на фоне растущей популярности Flash, наблюдается все большее обострение конкуренции среди производителей. И для того чтобы остаться на плаву, компаниям приходится постоянно увеличивать объем и снижать латентность памяти – это в большинстве случаев стает возможным после перехода на новый, более тонкий, техпроцесс.

Сегодня компания Toshiba поделилась своими планами борьбы с лидером рынка флэш-памяти – Samsung Electronics. Так, Toshiba заявила, что она совершит переход на 30 нм техпроцесс к 2009 году, а в марте 2008 года появятся первые ее чипы, произведенные по 45 нм техпроцессу. Данными шагами Toshiba надеется потеснить Samsung, которая пока никак не оговорила свои дальнейшие планы и сроки перехода на более тонкий техпроцесс.


Впрочем, как считают многие аналитики – спешка и некоторые издержки при переходе на 30 нанометровую технологию производства, которых будет трудно избежать, очень сильно подымят себестоимость конечного продукта, и Toshiba может даже потерять свою вторую позицию на рынке флэш-памяти.

Источник:
ZDnet