Площадь ядра составляет 420 мм ² против 480 мм ² у G80. Не будем забывать, что ядро R600 будет построено по 80 нм техпроцессу, а вот G80 по менее продвинутому 90 нм. Трудно сказать какой чип будет обладать большим числом транзисторов. Сейчас можно только гадать сколько же их в R600. Но мы знаем, что в G80 количество транзисторов равно 681 млн. штук. Насколько известно чипы R600 будет выпускать TSMC и какой степинг 80 нм техпроцесса будет использоваться сказать трудно, возможно 80HS. И скорее всего R600 вместит в себя транзисторов будет около 500-600 млн. штук (а может и 650-700). Напомню, что R600 будет содержать 64 шейдерных блока и производительность их будет выше, нежели у G80.
Источник:
Beyond 3D