Незабаром у Техасі запрацює новий напівпровідниковий завод для випуску чипів на базі передових техпроцесів із застосуванням екстремальної ультрафіолетової літографії (EUV). Виробничий об’єкт Samsung Taylor поступово наближається до моменту запуску. Стало відомо, що нідерландська компанія ASML формує команду для допомоги Samsung у встановленні та налаштуванні сучасного літографічного EUV-обладнання. Джерела в галузі кажуть, що завод уже близький до запуску повноцінного виробництва у 2026 році.
Крім основної інженерної групи ASML формує команду виїзного обслуговування, яка відповідатиме за встановлення і тестування додаткових компонентів безпосередньо перед доставленням на об’єкт. Нове підприємство зможе випускати чипи на передовому техпроцесі 2 нм із транзисторами GAA. Раніше Samsung вже почала виробництво 2‑нм чипів Exynos 2600 на корейському заводі, а в майбутньому зможе залучити виробничі потужності в Техасі. Крім чипів Exynos для власних смартфонів Samsung також вироблятиме ШІ-чипи для автомобілів Tesla. Ходять чутки, що Qualcomm може звернутися до Samsung замість TSMC, і нібито ця компанія вже отримала перші зразки чипів Snapdragon 8 Elite Gen 5 на базі техпроцесу Samsung 2 нм. Також була інформація, що NVIDIA вивчає потенціал техпроцесу Samsung для власних потреб.
Джерело:
Wccftech