Британские компании Quinas Technology и IQE plc объявили о готовности к запуску производства новой экспериментальной памяти UltraRAM. После года тесного сотрудничества партнеры преодолели ряд технических трудностей, разработали метод эпитаксии слоев полупроводниковых соединений и готовы переходить к опытному производству. Сейчас идут переговоры с полупроводниковыми производителями для запуска в производство первых пластин и корпусирования кристаллов. Это станет первым шагом на пути к коммерческому внедрению нового продукта.
Мы уже писали про разработку этого типа памяти. UltraRAM должна сочетать скорость DRAM и устойчивость NAND для долговременного хранения данных. Технология основана на резонансном туннелировании в прецизионно выращенных слоях антимонида галлия и антимонида алюминия. Новый процесс эпитаксии позволяет инженерам контролировать размер атомных слоев, чтобы при обычном методе фотолитографии и травления создавать надежные ячейки памяти. В ходе лабораторных испытаний конструкция продемонстрировала быструю коммутацию, очень низкое потребление энергии и долгое время хранения данных, которое будет измеряться годами. Если такие характеристики удастся воспроизвести в большем масштабе для массового производства, это способно перевернуть рынок памяти.
Но говорить о революции пока рано. Надо дождаться результатов опытного производства и тестирования первых полноценных образцов UltraRAM.
Источник:
TechPowerUp