Компания Samsung опубликовала финансовый отчет за третий квартал 2025 года и объявила о планах по выпуску памяти на ближайший год. По итогам квартала выручка выросла на 15,4% в сравнении с прошлым кварталом, и компания установила исторический рекорд квартальных продаж в сегменте памяти. Такой рост обеспечен высоким спросом в сфере ИИ, что стимулирует продажи памяти HBM3E для специализированных ускорителей вычислений и серверных SSD для систем хранения данных.
Samsung уже готовится к запуску массового производства нового типа памяти HBM4, которая предложит скорость обмена данными до 11 Гбит/с на чип. Поставки начнутся в 2026 году. Такая память может найти применение в графических чипах для NVIDIA Rubin и AMD MI400, которые ориентированы на сегмент ИИ. Ранее о готовности к массовому производству этого типа памяти уже заявил конкурент SK Hynix.
Компания расширит ассортимент памяти DDR5 и GDDR7, предлагая решения повышенной емкости, например, предложит 128 ГБ DDR5 и выше, а также 24 ГБ GDDR7. Графическая память GDDR7 сохранит высокую популярность и в 2026 году. На рыке ожидаются новые потребительские видеокарты NVIDIA RTX 50 Super и, возможно, новые модели AMD Radeon c GDDR7. Также NVIDIA запустит в сегменте ИИ новые специализированные ускорители Rubin CPX с GDDR7. В целом предложение сейчас смещается в сегмент ИИ, что постепенно приводит к дефициту и росту цен на DRAM и SSD в потребительском сегменте.
Также большие надежды Samsung возлагает на новый техпроцесс 2 нм с применением транзисторов GAA. Технология будет использоваться для выпуска собственных чипов Exynos и новых Qualcomm Snapdragon. По слухам, на фоне повышения цен на 2 нм от TSMC некоторые крупные компании также изучают возможность перехода на производственные мощности Samsung.
Источник:
Wccftech