Компания Samsung представила новые разработки в сегменте памяти на Корейском технологическом фестивале в Сеуле. А новая высокоскоростная память GDDR7 даже получила специальную награду. Специалисты Samsung разработали модули GDDR7 с рекордной производительностью 40 Гбит/с. Ранее компания уже демонстрировала микросхемы с производительностью 36 Гбит/с. Современные GeForce RTX 50 используют память GDDR7 28–30 Гбит/с.
Новая микросхема GDDR7 выполнена на базе техпроцесса Samsung 12 нм (класс 10 нм) и имеет емкость 3 ГБ (24 Гб). Такие модули применяются нечасто. Большинство видеокарт используют микросхемы 2 ГБ, но, например, в мобильной GeForce RTX 5090 восемь микросхем GDDR7 3 ГБ, что при шине 256 бит позволяет получить 24 ГБ общей памяти. Согласно слухам NVIDIA планирует перевести многие видеокарты GeForce RTX 50 Super на микросхемы 3 ГБ, чтобы увеличить объем доступной памяти. И сейчас Samsung активно производит микросхемы 3 ГБ 28 Гбит/с, которые могут использоваться в таких видеокартах. Новые модули GDDR7 40 Гбит/с могут стать основной для будущего поколения видеокарт, что косвенно указывает долгожданное увеличения объема памяти в новых GPU.
Конкурент SK Hynix тоже активно ведет разработки в этом направлении. В следующем году компания рассчитывает представить память GDDR7 3 ГБ со скоростью до 48 Гбит/с. Относительно современного поколения это позволит поднять пропускную способность более чем на 70%.
Источник:
TechPowerUp