Компания Rapidus из Японии в ближайшем будущем может стать еще одним производителем чипов на базе передовых техпроцессов. Уже построен завод Rapidus Innovative Integration for Manufacturing (IIM‑1) и оборудована производственная линия. А теперь официально объявлено о получении первых прототипов пластин на базе техпроцесса 2 нм с передовыми транзисторами GAA (Gate-All-Around).
Rapidus демонстрирует большой прогресс и быстрые темпы в подготовке к новому производству. Фундамент для завода был заложен в сентябре 2023 года, а в 2024 году уже начался монтаж техники, включая 200 образов передового полупроводникового оборудования. Компания делает ставку на литографию EUV и технологию GAA в своем производстве. Первый запуск литографа состоялся 1 апреля текущего года. На заводе планируют организовать новый метод производства с однопластинчатой обработкой. В процессе обработки одной пластины корректировки будут применяться ко всем следующим пластинам. И все это с применением ИИ для анализа и оптимизации производства.
Rapidus уже создает комплект для разработки под свой техпроцесс 2 нм на производственной линии IIM‑1. Его предоставят первым заказчикам в 2026 году, что позволит им создавать и адаптировать свои разработки под конкретное производство. А массовый выпуск чипов планируют наладить в 2027 году. Лидер индустрии, тайваньский гигант TSMC, начинает массовое производство на своих линиях 2 нм уже во второй половине этого года. Также Intel уже готова к запуску своей линии 18A. Пока что Rapidus явно отстает, но если японской компании удастся наладить производство даже через пару лет, это будет важным событием для всей полупроводниковой индустрии.
Источники:
Wccftech
PRNewswire